专利名称：光电转换装置的制法及半导体形成用溶液专利类型：发明专利
发明人：田中勇,稻井诚一郎,大川佳英,西村太佑,山元泉太郎申请号：CN201080002210.4申请日：20100329公开号：CN102272937A公开日：20111207
摘要：本发明提供一种光电转换装置的制法，其包括：向含有包含I-B族元素、III-B族元素和硫属元素的单源前体的有机溶剂中，添加III-B族元素的硫属化物粉末，制作半导体形成用溶液的工序；使用所述半导体形成用溶液来形成含有I-III-VI族化合物的半导体的工序。
申请人：京瓷株式会社
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：朱丹
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