高性能、145 MHz FastFET运算放大器AD8065/AD8066应用 汽车驾驶员辅助系统 光电二极管前置放大器 滤波器 ADC驱动器 电平转换 缓冲 产品特性 通过汽车应用认证 FET输入放大器 输入偏置电流：1 pA 低成本 高速：-3 dB带宽：145 MHz (G = +1) 压摆率：180 V/μs (G = +2) 低噪声 7 nV/√Hz (f = 10 kHz) 0.6 fA/√Hz (f = 10 kHz) 连接图 VOUT1–VS2+IN3TOP VIEW(Not to Scale)4AD8065宽电源电压范围：5 V至24 V 单电源、轨到轨输出 低失调电压：1.5 mV(最大值) 高共模抑制比：-100 dB 出色的失真特性 无杂散动态范围(SFDR)：-88 dBc (1 MHz) 低功耗：电源电流：每个放大器6.4 mA(典型值) 无反相 小型封装：SOIC-8、SOT-23-5和MSOP-8 5+VSNC1–IN2AD8065876NC+VSVOUT–IN+IN3–VS4TOP VIEW5NC(Not to Scale)AD8066VOUT11–IN12+IN13–VS4TOP VIEW(Not to Scale)8765+VSVOUT2–IN2+IN202916-E-001概述 AD8065/AD80661 FastFET™放大器均为电压反馈型放大器，提供FET输入，性能出色、易于使用。AD8065是单路放大器，AD8066是双路放大器。这些放大器采用ADI公司的专有XFCB工艺制造，工作噪声极低(7.0 nV/√Hz和0.6fA/√Hz)，输入阻抗非常高。 AD8065/AD8066具有5 V至24 V的宽电源电压范围，可采用单电源供电，带宽为145 MHz，适合各种应用。此外，这些放大器还具有轨到轨输出，使其功能更加多样化。 GAIN (dB)图1 AD8065/AD8066均为高性能、高速、FET输入放大器，提供SOIC-8、MSOP-8和SOT-23-5小型封装，额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。 AD8065WARTZ-REEL7完全通过汽车应用认证，额定工作温度范围为−40°C至+105°C扩展温度范围，最高电源电压范围仅为+5V。 2421G = +10VO = 200mV p-pG = +5尽管成本很低，但这些器件仍能提供出色的整体性能。这些放大器的差分增益和相位误差分别为0.02%和0.02°，0.1 dB平坦度为7 MHz，堪称视频应用的理想之选。此外，这些器件具有180 V/μs高压摆率、出色的失真性能(1 MHz时无杂散动态范围(SFDR)为−88 dBc)、极高的共模抑制(−100 dB)和低输入失调电压(1.5 mV，预热条件下最大值)。 AD8065/AD8066仅采用每个放大器6.4 mA的典型电源电流，能够驱动高达30 mA的负载电流。 11815129G = +263G = +10–3110FREQUENCY (MHz)受美国专利第6,262,633号保护。 100100002916-E-002–60.1 Rev. J Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 ©2002–2010 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 图2. 小信号频率响应 ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供的最新英文版数据手册。AD8065/AD8066目录特性...................................................................................................1 应用...................................................................................................1 连接图..............................................................................................1 概述...................................................................................................1 修订历史..........................................................................................3 ±5 V技术规格.................................................................................4 ±12 V技术规格...............................................................................6 +5 V技术规格.................................................................................7 绝对最大额定值.............................................................................9 最大功耗.....................................................................................9 输出短路.....................................................................................9 ESD警告......................................................................................9 典型工作特性...............................................................................10 测试电路........................................................................................17 工作原理........................................................................................20 闭环频率响应..........................................................................20 同相闭环频率响应.................................................................20 反相闭环频率响应.................................................................20 宽带工作...................................................................................21 输入保护...................................................................................21 散热考量...................................................................................22 输入和输出过载行为.............................................................22 布局布线、接地和旁路考虑.....................................................23 电源旁路...................................................................................23 接地...........................................................................................23 漏电流.......................................................................................23 输入电容...................................................................................23 输出电容...................................................................................23 输入至输出耦合..................................................................... 24 宽带光电二极管前置放大器................................................24 高速JFET输入仪表放大器....................................................25 视频缓冲器..............................................................................26 外形尺寸........................................................................................27 订购指南...................................................................................28 汽车应用级产品......................................................................28 Rev. J | Page 2 of 28 AD8065/AD8066修订历史 2010年8月—修订版I至修订版J 更改“特性”部分、“应用”部分和“概述”部分..............................1更改表1...............................................................................................4更改表3...............................................................................................7更改表4...............................................................................................9更改图9............................................................................................10更改“反相闭环频率响应”部分...................................................20移动“漏电流”部分、“输入电容”部分和“输出电容”部分 ....23移动“输入至输出耦合”部分、“宽带光电二极管前置放大器”部分和图59......................................................................................24更改表5............................................................................................25移动图60和“高速JFET输入仪表放大器”部分.........................25更新“外形尺寸” .............................................................................27更改“订购指南” .............................................................................28添加“汽车应用级产品”部分........................................................282009年3月—修订版H至修订版I 更改“高速JFET输入仪表放大器”部分 .....................................23更新“外形尺寸” .............................................................................242008年9月—修订版G至修订版H 删除表1中的“可用范围参数” ........................................................3删除表2中的“可用范围参数” ........................................................4删除表3中的“可用范围参数” ........................................................5更改布局.............................................................................................6更改“输入和输出过载行为”部分...............................................19更改表5的表达式列......................................................................222006年1月—修订版F至修订版G 更改“订购指南”..............................................................................262005年12月—修订版E至修订版F 格式更新.....................................................................................通篇 修改“特性”部分.................................................................................1更改“概述” ........................................................................................1更改图22至和图27.........................................................................11更新“外形尺寸” .............................................................................25更改“订购指南” .............................................................................26 2004年2月—修订版D至修订版E 格式更新......................................................................................通篇更新图56..........................................................................................21更新“外形尺寸” .............................................................................25更新“订购指南” .............................................................................262003年11月—修订版C至修订版D 更改“特性” ........................................................................................1更改“连接图” ....................................................................................1更新“订购指南” ................................................................................5更新“外形尺寸” .............................................................................222003年4月—修订版B至修订版C 增加AD8065的SOIC-8 (R)...............................................................42003年2月—修订版A至修订版B 更改“绝对最大额定值”....................................................................4更改测试电路10.............................................................................14更改测试电路11.............................................................................15更改“同相闭环频率响应”部分...................................................16更改“反相闭环频率响应” ...........................................................16更新图6............................................................................................18更改图7............................................................................................19更改图10..........................................................................................21更改图11......................................................................................... 22更改“高速JFET输入仪表放大器”部分......................................22更改“视频缓冲器”........................................................................ 222002年8月—修订版0至修订版A 增加AD8066................................................................................通篇增加SOIC-8 (R)和MSOP-8 (RM)...................................................1编辑“概述” ........................................................................................1编辑“技术规格” ............................................................................... 2新增图2...............................................................................................5更改“订购指南” ................................................................................5编辑TPC 18、25和28.......................................................................8新增TPC 36.....................................................................................11增加测试电路10和11....................................................................14增加MSOP (RM-8).........................................................................23Rev. J | Page 3 of 28 AD8065/AD8066±5 V技术规格 除非另有说明，TA = 25°C，VS = ±5 V，RL = 1 kΩ。 表1.参数 动态性能-3 dB带宽 0.1 dB平坦度带宽 输入过驱恢复时间 输出恢复时间 压摆率 0.1%建立时间 噪声/谐波性能 无杂散动态范围(SFDR) 三阶交调截点 输入电压噪声 输入电流噪声 差分增益误差 差分相位误差 直流性能 输入失调电压 输入失调电压漂移 输入偏置电流 输入失调电流 开环增益 输入特性 共模输入阻抗 差分输入阻抗 输入共模电压范围 FET输入范围 共模抑制比 条件 G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8065) 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXG = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8066) G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +2, VO = 2 V p-p G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +1，−5.5 V至+5.5 V G = -1，−5.5 V至+5.5 V G = +2，VO= 4 V阶跃 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXG = +2，VO= 2 V阶跃 G = +2，VO= 8 V阶跃 fC = 1 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 5 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 1 MHz, G = +2, VO = 8 V p-p fC = 10 MHz, RL = 100 Ω f = 10 kHz f = 10 kHz NTSC, G = +2, RL = 150 Ω NTSC, G = +2, RL = 150 Ω VCM= 0 V，SOIC封装 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXSOIC封装 TMIN 至 TMAX TMIN 至 TMAXVO = ±3 V, RL = 1 kΩ 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXVCM= -1 V至+1 V VCM= −1 V至+1 V (SOT-23) 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX最小值 100 88 100 130 155 100 100 -5至+1.7 -5至+1.7 −85 −82 −82 典型值 145 120 50 42 7 175 170 180 55 205 −88 −67 −73 24 7 0.6 0.02 0.02 0.4 1 2 25 1 1 113 1000 || 2.1 1000 || 4.5 -5.0至+2.4 −100 −91 最大值 1.5 2.6 17 17 6 125 10 125 单位 MHz MHz MHz MHz MHz MHz ns ns V/µs V/µs ns ns dBc dBc dBc dBm nV/√Hz fA/√Hz % 度 mV mV µV/°C µV/°C pA pA pA pA dB dB GΩ || pF GΩ || pF V V dB dB dB Rev. J | Page 4 of 28 AD8065/AD8066参数 输出特性 输出电压摆幅 输出电流 短路电流 容性负载驱动 电源 工作范围 每个放大器的静态电流 电源抑制比 条件 RL = 1 kΩ 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXRL = 150 Ω VO = 9 V p-p, SFDR ≥ −60 dBc, f = 500 kHz 30%过冲，G = +1 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX±PSRR 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX最小值 -4.88至+4.90-4.88至+4.90 5 5 −85 −85 典型值 -4.94至+4.95 -4.8至+4.7 35 90 20 6.4 −100 最大值 24 10 7.2 7.2 单位 V V V mA mA pF V V mA mA dB dB Rev. J | Page 5 of 28 AD8065/AD8066±12 V技术规格 除非另有说明，TA = 25°C，VS = ±12 V，RL = 1 kΩ。 表2.参数 动态性能 -3 dB带宽 0.1 dB平坦度带宽 输入过驱恢复 输出过驱恢复 压摆率 0.1%建立时间 噪声/谐波性能 无杂散动态范围(SFDR) 三阶交调截点输入电压噪声输入电流噪声 差分增益误差 差分相位误差 直流性能 输入失调电压 输入失调电压漂移输入偏置电流 输入失调电流 开环增益 输入特性 共模输入阻抗 差分输入阻抗 输入共模电压范围 FET输入范围 共模抑制比 输出特性 输出电压摆幅 输出电流 短路电流 容性负载驱动 电源 工作范围每个放大器的静态电流 电源抑制比条件 G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8065) G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8066) G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +2, VO = 2 V p-p G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +1，-12.5 V至+12.5 V G = -1，-12.5 V至+12.5 V G = +2，VO= 4 V阶跃 G = +2，VO= 2 V阶跃 G = +2，VO= 10 V阶跃 fC = 1 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 5 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 1 MHz, G = +2, VO = 10 V p-p fC = 10 MHz, RL = 100 Ω f = 10 kHz f = 10 kHz NTSC, G = +2, RL = 150 Ω NTSC, G = +2, RL = 150 Ω VCM= 0 V，SOIC封装 SOIC封装 TMIN 至 TMAXTMIN 至 TMAXVO = ±10 V, RL = 1 kΩ VCM= -1 V至+1 V VCM= −1 V至+1 V (SOT-23) RL = 1 kΩ RL = 350 Ω VO = 22 V p-p, SFDR ≥ −60 dBc, f = 500 kHz 30%过冲，G = +1 ±PSRR 最小值 100 100 130 103 -12至+8.5 −85 −82 -11.8至+11.8 5 −84 典型值 最大值 145 115 50 40 7 175 170 180 55 250 −100 −67 −85 24 7 1 0.04 0.03 0.4 1.5 1 17 3 7 25 2 10 2 114 1000 || 2.1 1000 || 4.5 -12.0至+9.5 −100 −91 -11.9至+11.9 -11.25至+11.5 30 120 25 24 6.6 7.4 −93 单位 MHz MHz MHz MHz MHz ns ns V/µs ns ns dBc dBc dBc dBm nV/√Hz fA/√Hz % 度 mV µV/°C pA pA pA pA dB GΩ || pF GΩ || pF V dB dB V V mA mA pF V mA dB Rev. J | Page 6 of 28 AD8065/AD8066+5 V技术规格 除非另有说明，TA = 25°C，VS = 5 V，RL = 1 kΩ。 表3 .参数 动态性能 -3 dB带宽 0.1 dB平坦度带宽 输入过驱恢复时间 输出恢复时间压摆率 0.1%建立时间 噪声/谐波性能 无杂散动态范围(SFDR) 三阶交调截点 输入电压噪声 输入电流噪声 差分增益误差 差分相位误差 直流性能 输入失调电压 输入失调电压漂移 输入偏置电流 输入失调电流 开环增益 输入特性 共模输入阻抗 差分输入阻抗 输入共模电压范围 FET输入范围 共模抑制比 输出特性 输出电压摆幅 输出电流 短路电流 容性负载驱动条件 G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8065) 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXG = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8066) G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +2, VO = 2 V p-p G = +2, VO = 0.2 V p-p G = +1，-0.5 V至+5.5 V G = -1，-0.5 V至+5.5 V G = +2，VO= 2 V阶跃 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXG = +2，VO= 2 V阶跃 fC = 1 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 5 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p fC = 10 MHz, RL = 100 Ω f = 10 kHz f = 10 kHz NTSC, G = +2, RL = 150 Ω NTSC, G = +2, RL = 150 Ω VCM= 1.0 V，SOIC封装 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXSOIC封装 TMIN 至 TMAX TMIN 至 TMAXVO= 1 V至4 V (AD8065) 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXVO= 1 V至4 V (AD8066) 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXVCM= 0.5 V至1.5 V VCM= 1 V至2 V (SOT-23) 仅限AD8065WARTZ： TMIN-TMAX RL = 1 kΩ 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAXRL = 150 Ω VO = 4 V p-p, SFDR ≥ −60 dBc, f = 500 kHz 30%过冲，G = +1 Rev. J | Page 7 of 28 最小值 125 90 110 105 123 100 100 90 0至1.7 0至1.7 −74 −78 −76 0.1至4.850.1至4.85 典型值 155 130 50 43 6 175 170 160 60 −65 −50 22 7 0.6 0.13 0.16 0.4 1 1 25 1 1 113 103 1000 || 2.1 1000 || 4.5 0至2.4 −100 −91 0.03至4.95 0.07至4.8335 75 5 最大值 1.5 2.6 17 17 5 125 5 125 单位 MHz MHz MHz MHz MHz MHz ns ns V/µs V/µs ns dBc dBc dBm nV/√Hz fA/√Hz % 度 mV mV µV/ºC µV/ºC pA pA pA pA dB dB dB GΩ || pF GΩ || pF V V dB dB dB V V V mA mA pF AD8065/AD8066参数 电源 工作范围 每个放大器的静态电流 电源抑制比 条件 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX±PSRR 仅限AD8065WARTZ： TMIN− TMAX最小值 5 5 5.8 −78 −78 典型值 6.4 −100 最大值 24 10 7.0 7.0 单位 V V mA mA dB dB Rev. J | Page 8 of 28 AD8065/AD8066绝对最大额定值 表4.参数 电源电压 功耗 共模输入电压 差分输入电压 存储温度范围 工作温度范围 仅限AD8065WARTZ 引脚温度(焊接，10秒)额定值 26.4 V 见图3 VEE− 0.5 V至VCC+ 0.5 V1.8 V -65℃至+125℃ -40℃至+85℃ -40℃至+105℃300°C 应当考虑均方根输出电压。如果RL以VS−为基准，像在单电源供电情况下，则总驱动功耗为VS × IOUT。 如果均方根信号电平未定，应考虑最差情况：RL以电源电压中间值为基准，VOUT = VS/4。 单电源供电且RL以VS−为基准时，最差情况为VOUT = VS/2。 2.0注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这只是额定最值，并不能在这些条件下，或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。 MAXIMUM POWER DISSIPATION (W)1.5MSOP-8SOIC-81.0SOT-23-50.5最大功耗 AD8065/AD8066封装内的最大安全功耗受限于相应的芯片结温(TJ)的升高情况。芯片的塑封局部达到结温。达到玻璃化转变温度150°C左右时，塑料的特性会发生改变。即使只是暂时超过这一温度限值也会改变封装对芯片作用的应力，从而永久性地转变AD8065/AD8066的参数性能。长时间超过175℃的结温会导致芯片器件出现变化，因而可能造成故障。 可以利用封装和PCB的静止空气热属性(θJA)、环境温度(TA)和封装的总功耗(PD)来确定芯片的结温。结温可以通过下式计算： –40–20020406080100AMBIENT TEMPERATURE (°C)02916-E-0030–60 图3. 4层板最大功耗与温度的关系 气流可增强散热，从而有效降低θJA。此外，更多金属直接与金属走线的封装引脚、通孔、接地和电源层接触，这同样可降低θJA。必须采取措施降低高速运算放大器输入引脚的寄生电容，如“布局布线、接地和旁路考虑”部分所述。 图3显示在JEDEC标准4层板上，SOIC (125°C/W)、SOT-23 (180°C/W)和MSOP (150°C/W)三种封装的最大安全功耗与环境温度的关系。θJA值均为近似值。 封装的功耗(PD)为静态功耗与封装中所有输出的负载驱动所导致的功耗之和，而静态功耗则为电源引脚之间的电压(VS)乘以静态电流(IS)。假设负载(RL)以中间电源电压为基准，则总驱动功耗为VS/2 × IOUT，其中一部分消耗在封装中，一部分消耗在负载中(VOUT × IOUT)。总驱动功耗和负载功耗之差便是消耗在封装中的功耗。 PD=静态功耗+(总驱动功耗-负载功耗)输出短路 输出短接至地或AD8065/AD8066吸取过多电流会引发严重故障。 ESD警告ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。 Rev. J | Page 9 of 28 AD8065/AD8066典型工作特性 默认条件：±5 V，CL = 5 pF，RL = 1 kΩ，VOUT = 2 V p-p，温度 = 25°C. 2421G = +10V18O = 200mV p-p15G = +5B)12d( N9IAGG = +263G = +10–3–60.11101001000FREQUENCY (MHz)图4. 不同增益下的小信号频率响应 6VO = 200mV p-pG = +14VS = +5V2B)VdS =±5V( N0IAGVS =±12V–2–4–60.11101001000FREQUENCY (MHz)图5. 不同电源下的小信号频率响应(见图42) 2VO = 2V p-p1G = +10VS =±5VB)d–1( NIAG–2VS =±12V–3–4–50.11101001000FREQUENCY (MHz)图6. 不同电源下的大信号频率响应(见图42) 6.9R6.8L = 150ΩG = +2V = 0.2V p-p6.7OUTV6.6OUT = 0.7V p-pVOUT = 1.4V p-pB)6.5d( N6.4IAG6.36.26.16.0405.970-0.111010000-6-E6-E1199220FREQUENCY (MHz)0图7. 0.1 dB平坦度频率响应(见图43) 9VO = 200mV p-pG = +287VS = +5VVS =±5VB)d( N6IAGVS =±12V5450380-0.1110100100000-E6-E6-119920FREQUENCY (MHz)20图8. 不同电源下的小信号频率响应(见图43) 8V7G = +2O = 2V p-pVS = +5VVS = ±5V6VS = ±12V)5Bd( NI4AG321600900-0.111010010000-6-E61199220FREQUENCY (MHz)0图9. 不同电源下的大信号频率响应(见图43) Rev. J | Page 10 of 28 9VO = 200mV p-pG = +1CRL = 25pF6CSNUB = 20ΩL = 25pF3CL = 20pFB)d( N0IAGCL = 5pF–3–6–90.11101001000FREQUENCY (MHz)图10. 不同CLOAD下的小信号频率响应(见图42)8VOUT = 0.2V p-p6G = +2V4OUT = 2V p-p2B)d(V = 4V p-p 0OUTNIAG–2–4–6–80.11101001000FREQUENCY (MHz)图11. 不同输出幅度下的频率响应(见图43) 14VO = 200mV p-p12G = +210RF = RG = 1kΩ,RS = 500Ω8RF = RG = 500Ω,B)6RdS = 250Ω( NIA4RF = RG = 500Ω,GRRF = RG = 1kΩ,S = 250Ω, = 500Ω,C2RCSF = 2.2pFF = 3.3pF0–2–40.11101001000FREQUENCY (MHz)图12. 不同RF/CF下的小信号频率响应(见图43) AD8065/AD806686CL = 5pFCL = 55pF4CL = 25pF2B)d( NI0AG–2–4–6VO = 200mV p-pG = +201–830-E0.1110100100010-6-6-E11920FREQUENCY (MHz)920图13. 不同CLOAD下的小信号频率响应(见图43) 87RL = 100Ω65RL = 1kΩB)d( NI4AG321VO = 200mV p-pG = +214100-E0.1110100100010-6-6-E11920FREQUENCY (MHz)920图14. 不同RLOAD下的小信号频率响应(见图43)80120PHASE6060)Bd)(S NEIA400ERGG PEOGAIND(O LE-N20–60SAEHPPO0–1202–20–18051100--0.010.11101001000E-6-E611992FREQUENCY (MHz)200 图15. 开环响应 Rev. J | Page 11 of 28 AD8065/AD8066–30–40–40G = +2–50–50–60))cB–60BcHD2 G = +2dd(( NO–70HD2 RN–70HD3 G = +2L = 150ΩOIITRHD2 RL = 1kΩTRHD2 G = +1O–80THD3 RTO–80SL = 1kΩSID–90IDHD3 R–100L = 150Ω–90HD3 G = +1–110–100–12060.11001–1101100-E0.1110100-61FREQUENCY (MHz)920FREQUENCY (MHz)图16. 不同负载下谐波失真与频率的关系(见图43) 图19. 不同增益下谐波失真与频率的关系(见图42和图43) –30–20–40G = +2–30VS =±12VVG = +2HD2 VO = 20V p-p–50F = 1MHzS =±12V–40)–60)–50HD3 VO = 20V p-pBcBcdd(( –70HD2 R –60NL = 150ΩNHD2 VOOO = 10V p-pIITT–70R–80HD3 RL = 150ΩROTOTHD3 VSS–80O = 10V p-pI–90IDHD2 RDL = 300Ω–90–100–100HD2 VO = 2V p-p–110HD3 RL = 300Ω–110HD3 VO = 2V p-p–12071–12001234567891011121314150-0.11.010.06-EOUTPUT AMPLITUDE (V p-p)1920FREQUENCY (MHz)图17. 不同负载下谐波失真与幅度的关系，VS = ±12 V(见图43) 图20. 不同幅度下谐波失真与频率的关系(见图43) 50100RL = 100Ω45VS =±12VBm)40dVS =±5V() zTNHIO35 /VPn (T 10PE30SICERVS = +5VONETN25I20158111010-E101001k10k100k1M10M100M1G6-1FREQUENCY (MHz)920FREQUENCY (Hz)图18. 三阶交调截点与频率和电源电压的关系 图21. 电压噪声 Rev. J | Page 12 of 28 910-E6-1920020-E6-1920120-6-E1920AD8065/AD8066G = +150mV/DIV25ns/DIV图22. 5 V电源下的小信号瞬态响应(见图42) G = +1VS =±12VVOUT = 10V p-pVOUT = 4V p-pVOUT = 2V p-p2V/DIV50ns/DIV图23. 大信号瞬态响应(见图42) G =–1VS =±5V2.0V/DIV100ns/DIV图24. 输出过驱恢复(见图44) CL = 20pFG = +1CL = 5pF50mV/DIV25ns/DIV220-61920图25. ±5 V下的小信号瞬态响应(见图42) G = +2VOUT = 10V p-pV5µsS =±12VVOUT = 2V p-p2V/DIV50ns/DIV320-61920图26. 大信号瞬态响应(见图43)G = +1VS =±5V2.0V/DIV100ns/DIV420-61920图27. 输入过驱恢复(见图42) Rev. J | Page 13 of 28 520-61920620-61920720-61920AD8065/AD8066VIN = 140mV/DIVV– 2V+0.1%OUTIN–0.1%t =02mV/DIV64s/DIV图28. 长期建立时间(见图49) 0–5A)–Ibp( TN–10RERUC–15 ASI+IBb TU–20NPI–25–3025354555657585TEMPERATURE (°C)图29. 输入偏置电流与温度的关系 0.30.2)Vm( 0.1EGVAS = +5VTLO0VS =±5VV TESFF–0.1VS =±12VO–0.2–0.3–14–12–10–8–6–4–202468101214COMMON-MODE VOLTAGE (V)图30. 输入失调电压与共模电压的关系 VIN= 500mV/DIV+0.1%–0.1%t =0VOUT– 2VIN2mV/DIV10ns/DIV820-E-61920图31. 0.1%短期建立时间(见图49) 42E36+IbG30AT)24SA µ(18–ITbUbPI12NI 6T0BJ105–Ib0EGA–5T)SA p–10+IbT(U b–15PINI –20TEF–2592–300-E-–12–10–8–6–4–202468101261920 COMMON-MODEVOLTAGE (V)图32. 输入偏置电流与共模电压范围的关系(参见“输入和输出过驱行为”部分) 40N = 29935SD = 0.388MEAN =–0.069302520151050300-E-6–2.0–1.5–1.0–0.500.51.01.52.01920INPUT OFFSET VOLTAGE (mV)图33. 输入失调电压 Rev. J | Page 14 of 28 130-E-61920230-E-61920330-E-61920AD8065/AD8066–30–40–50)Bd–60( RRMC–70VS =±12V–80–90VS =±5V–1000.1110100FREQUENCY (MHz)图34. CMRR与频率的关系(见图46) 0.30)(V0.25 EVAGCC– VOHTLO0.20V NOITA0.15RUTAS 0.10TUPTVUO0.05OL– VEE0010203040ILOAD (mA)图35. 输出饱和电压与输出负载电流的关系 0–10–20–30–PSRR)B–40+PSRRd( R–50RSP–60–70–80–90–1000.010.11101001000FREQUENCY (MHz)图36. PSRR与频率的关系(见图48和图50)10010)Ω( ECNA1G = +1DEPMI G = +2TU0.1PTUO0.014300-1001k10k100k1M10M100M-E61920FREQUENCY (Hz)图37. 输出阻抗与频率的关系(见图45和图47) 80)Vm( E70GATV– VLCCOHOV 60NOITARUT50VOL– VEEAS TUPTU40O53300-25354555657585-E61920TEMPERATURE (°C)图38. 输出饱和电压与温度的关系 0–10VG = +1IN = 2V p-p–20)B–30d( KL–40ATS–50ROSC–60B TO A–70A TO B–8063–900-0.1110100-E61920FREQUENCY (MHz)图39. 串扰与频率的关系(见图51) Rev. J | Page 15 of 28 730--E61920) 830--E61920 930--E61920AD8065/AD80666.60VS =±12V6.55VS =±5V)Am6.50( TNER6.45RUVCS = +5V Y6.40LPPUS6.356.306.25–40–20020406080TEMPERATURE (°C)图40. 不同电源电压下静态电源电流与温度的关系 125120115VS =±12V)Bd(110 NIAG105 POOL100V-S = +5VNEP95OVS =±5V908504080--E01020304061920 ILOAD (mA)图41. 不同电源电压下开环增益与负载电流的关系 Rev. J | Page 16 of 28 140--E61920 AD8065/AD8066测试电路 SOIC-8引脚排列 +VCC4.7µF+VCC4.7µF0.1µF24.9Ω499Ω2.2pF499Ω0.1µFVIN49.9ΩAD8065VIN49.9ΩRSNUBFET PROBEFET PROBEAD8065CLOAD249Ω0.1µF1kΩ1kΩ0.1µF02916-E-0424.7µF–VEE–VEE图42. G = +1 +VCC4.7µF图44. G = -1 +VCC4.7µF0.1µF2.2pF499Ω499Ω0.1µF24.9ΩFET PROBEAD8065VIN49.9Ω249Ω0.1µFRSNUBAD8065NETWORK ANALYZER S221kΩCLOAD0.1µF4.7µF02916-E-0434.7µF02916-E-045–VEE–VEE图43. G = +2 图45. 输出阻抗G = +1 Rev. J | Page 17 of 28 02916-E-0444.7µFAD8065/AD8066+VCC4.7µFVIN1V p-p+VCC0.1µF49.9Ω24.9Ω499Ω499ΩVINFET PROBEFET PROBEAD806549.9Ω499Ω499Ω0.1µF1kΩAD80650.1µF1kΩ4.7µF02916-E-0464.7µF02916-E-048–VEE–VEE 图46. 共模抑制比(CMRR) +VCC4.7µF图48. 正PSRR +VCC4.7µF0.1µF0.1µF2.2pF499Ω499Ω499Ω499Ω249ΩAD8065NETWORKANALYZERS220.1µFVIN249ΩAD80650.1F976ΩTO SCOPE49.9Ω49.9Ω4.7µF02916-E-0474.7µF–VEE –VEE图47. 输出阻抗G = +2 图49. 建立时间 Rev. J | Page 18 of 28 02916-E-049AD8065/AD8066+VCC4.7µF499Ω499Ω2.2pF0.1µF24.9Ω1.5V5V4.7µF0.1µFFET PROBEFET PROBEAD80651kΩ49.9ΩVIN249ΩAD806549.9Ω1kΩ02916-E-0521.5V1.5V–VEE图50. 负PSRR 24.9Ω02916-E-050VIN1V p-p 图52. 单电源供电 FET PROBE24.9Ω AD8066+5V4.7µF1kΩ0.1µFRECEIVE SIDEAD8066VIN0.1µF1kΩ49.9Ω4.7µF02916-E-051–5VDRIVE SIDE图51. 串扰—AD8066 Rev. J | Page 19 of 28 AD8065/AD8066工作原理 AD8065/AD8066是电压反馈型运算放大器，集激光调整FET输入级与ADI公司的超快速互补双极性(XFCB)工艺于一体，实现了高精度和高速度的卓越组合。其电源电压范围为5 V至24 V。该放大器具有取得专利的轨到轨输出级，驱动范围可达任一电源的0.5 V内，可提供高达30 mA的源电流或吸电流。此外还具有单电源输入级，能够处理从负电源电压以下到正供电轨3 V范围内的共模信号。由于辅助双极性输入级可以采用高达正电源电压的输入电压工作，因此可以在JFET输入范围之外工作。对于电源电压范围内的共模电压，运算放大器就好像具有轨到轨输入一样工作，并不会表现出任何反相行为。 对于1 MHz、2 V p-p信号，AD8065/AD8066的电压噪声为7 nV/√Hz，失真为−88 dBc，这令它非常适合用在高分辨率数据采集系统。低噪声、亚皮安级输入电流、精密失调和高速特性使这些运放特别适合用作光电二极管应用中的前置放大器。AD8065/AD8066的速度和输出驱动能力还使得这些器件适合视频应用。 对于直流，闭环−3 dB频率： 对于直流，闭环−3 dB频率： 同相闭环频率响应 求解传递函数： 其中fcrossover为放大器开环增益等于0 dB时的频率。 反相闭环频率响应 闭环频率响应 AD8065/AD8066是优秀的电压反馈型放大器，其开环频率响应与积分器响应类似，如图53所示。反相和同相配置的基本闭环频率响应可以从所示原理图获得。 RFRFRGVIVEAVOVIRGVEAVO80A = (2π×fcrossover)/sOPEN-LOOP GAIN (A) (dB)604020fcrossover= 65MHz00.010.11FREQUENCY (MHz)1010002916-E-053 图53.开环增益与频率的关系，以及基本连接图 Rev. J | Page 20 of 28 AD8065/AD8066闭环带宽与运算放大器电路的噪声增益(RF + RG )/RG成反比。对于2以上的噪声增益，这一简单的模型精确可行。当噪声增益等于或小于2时，电路的实际带宽高于利用此模型所预测的值，原因是实际运算放大器的频率响应被其它极点影响。 RF+VOS–Ib–VO为获得最快建立时间和最佳失真性能，AD8065/AD8066输入引脚上的阻抗应相互匹配。这样可以将非线性共模电容效应降至最低，该效应会降低交流性能。 实际失真性能取决于多个因素： • 应用的闭环增益 • 反相抑或同相 • 放大器负载 • 信号频率和幅度 • 电路板布局布线 RGVIRSAIb+02916-E-054另请参见图16至图20。在低增益反相应用中使用AD8065 时，由于可以消除共模效应，因而可使失真达到最低。闭环增益越高，失真性能就越差。 图54. 电压反馈型放大器的直流误差 图54显示了电压反馈型放大器的直流误差。对于反相和同相配置， 如果RS = RF || RG，则Ib+和Ib–所引起的电压误差最小(AD8065的输入电流在整个温度范围内通常都小于20 pA，这一误差应当不是问题)。为了包括共模效应和电源抑制效应，可以将总VOS表示为： VOSnom是标称条件下的额定失调电压，ΔVS是相对于标称条件的电源变化，PSR是电源抑制比，ΔVCM是相对于标称条件的共模电压变化，而CMR则是共模抑制比。 输入保护 AD8065/AD8066的输入采用输入引脚之间的背靠背二极管和各电源的ESD二极管进行保护。这样会得到输入电流为数皮安的输入级，可以承受高达1500 V ESD事件(人体模型)，且性能不会下降。 保护器件的过大功耗会损坏或降低放大器的性能。大于0.7 V的差分电压产生的输入电流约为(|V+ − V−| 0.7 V)/RI，其中RI为与输入端串联的电阻。 输入电压超出正电源电压时，输入电流约为(VI − VCC − 0.7)/RI。超出负电源电压时，输入电流约为(VI − VEE + 0.7)/RI。如果放大器的输入端必须持续存在0.7 V以上的差分电压，或者输入电压超出放大器电源电压，则输入电流应通过合适大小的输入电阻(RI)限制为30 mA，如图55所示。 RI>(|V+–V– |– 0.7V)30mARI>RI>(VI–VEE– 0.7V)30mA(VI–VEE+ 0.7V)30mAFORVI BEYONDSUPPLY VOLTAGES02916-E-055宽带运作 图42至图44所示电路用于确定增益为+1、+2和−1时的宽带特性。求和点源阻抗(RF || RG) 与放大器的6.6pF输入电容形成放大器环路响应的一个极点。如果形成的时间常数过低，这可能会引起峰化和振铃。建议使用300 Ω至1 kΩ的反馈电阻，因为它们不会过度地减轻放大器负载，形成的时间常数也不会太低。频率响应中的峰化可以通过与反馈电阻并联一个小电容(CF)来进行补偿，如图12所示。图中显示了不同反馈电容对同相G = +2放大器的峰化和带宽的影响。 FOR LARGE |V+–V–|RIAD8065VIVO 图55. 限流电阻 Rev. J | Page 21 of 28 AD8065/AD8066散热考量 AD8065以24 V电源和6.5 mA静态电流工作时，空载功耗为156 mW。AD8066功耗则为312 mW。这可能导致显著的热效应，尤其是在小型SOT-23-5(热阻为160°C/W)封装中。VOS温漂经过调整来保证17 μV/°C的最大漂移，从而使得对于采用SOT-23-5封装、以24 V电源工作的AD8065/ AD8066，预热效应引起的变化幅度最大可达0.425 mV。 温度每升高10°C，Ib会增大1.7倍。与采用5 V单电源供电相比，采用24 V电源时Ib要高近五倍。 高负载会增加功耗并提升芯片结温，如“最大功耗”部分所述。应注意不要超过封装的额定功耗。 输入和输出过载特性 图56所示为AD8065/AD8066输入级的简化原理图。图中有串接N沟道JFET输入对、ESD和其它保护二极管，以及可以消除任何相位翻转的辅助NPN输入级。放大器的共模输入电压驱动至约正电源3 V以内时，输入JFET的偏置电流会关闭，NPN对的偏置电流会打开，从而控制放大器。此时NPN差分对可以设置放大器的失调，输入偏置电流处于几十毫安范围内。该特性如图32中所示。共模电压从正电源阈值降至3 V以下时，就会恢复正常工作。 轨到轨输出级的输出晶体管配有电路来限制其在输出过驱时的饱和程度。这有助于改善输出恢复时间。图24所示为±5 V电源上0.5 V输出过驱的输出恢复情况。 VCCR1. R5TO REST OF AMP VTHRESHOLDQ2Q5VBIASD1R3VNQ1D3Q3SR4D2Q4R7SQ6D4VPR6R2R8Q7–VEE02916-E-056IT1IT2 图56. 简化输入级 Rev. J | Page 22 of 28 AD8065/AD8066布局布线、接地和旁路考虑 电源旁路 电源引脚实际上是输入，必须小心，确保施加无噪声的稳定直流电压。旁路电容的作用是在所有频率条件下在电源和地之间构成低阻抗，从而通过分流或滤波消除大多数噪声。 去耦方案旨在通过电容并联组合将所有频率条件下的旁路阻抗降至最低。0.1 μF(X7R或NPO)芯片电容非常重要，并应尽可能靠近放大器封装。4.7 μF钽电容对于高频旁路不太重要，多数情况下，每个电路板只需在电源输入端连接一个电容即足够。 效，必须用阻抗相对较低的源驱动它；在使用多层板时，应将输入引脚四周及上下完全包围起来。 另一种能导致漏电流的效应是绝缘材料本身的电荷吸收。尽可能减少输入引脚与保护环之间的材料量有助于降低电荷吸收。此外，某些情况下可能需要使用特氟龙或陶瓷等低吸收材料。 输入电容 除旁路和接地外，高速放大器对输入端与接地之间的寄生电容也很敏感。几皮法的电容就会降低高频时的输入阻抗，进而提高放大器的增益，导致频率响应峰化，严重时甚至引起振荡。建议将连接到输入引脚的外部无源器件尽可能靠近输入端放置，避免产生寄生电容。接地层和电源层应与电路板所有层上的输入引脚保持较短的距离。 接地 在高密度集成PCB上，接地层很重要，可以分散电流，进而将寄生电感降至最低。不过，了解电路中的电流流向对实现有效的高速电路设计至关重要。电流路径的长度与寄生电感的量级成正比，因此与路径的高频阻抗也成正比。感性接地回路中的高速电流会产生干扰电压噪声。 高频旁路电容引脚的长度是最重要的。旁路接地的寄生电感会不利于旁路电容产生的低阻抗。应将旁路电容的接地引线置于同一物理位置。负载电流也来自电源，因此负载阻抗的地应与旁路电容地在同一物理位置。若使用较大电容并在较低频率时有效，电流返回路径距离并不重要。 漏电流 不良的PCB布局、污染和板绝缘材料可能会引起远大于AD8065/AD8066输入偏置电流的漏电流。输入端与邻近走线的任何压差都会引起漏电流通过PCB绝缘器，例如：1 V / 100 GΩ = 10 pA。同样，任何污染(人体油脂就是一种常见污染)都会造成显著的漏电流。为了大幅降低漏电流，应在输入端和输入引脚周围放置一个保护环(屏蔽)，并将其驱动至与输入端相同的电位。这样，输入端与周围区域之间不存在压差，从而不会产生漏电流。为使保护环真正有输出电容 在较小程度上，输出端上的寄生电容会导致频率响应中出现峰化和振铃。有两种方法可以有效地将其影响降至最低： • 如图57所示，将一个小电阻(RS)与输出端串联，从而将负载电容与放大器的输出级隔离开来。电阻值最好选择为20 Ω(见图10)。 • 用更高的噪声增益提高相位裕量或在−IN和输出端之间并联一个电阻和电容来增加一个极点。 AD8065VIRS= 20ΩCLVO02916-E-057图57. 输出隔离电阻 Rev. J | Page 23 of 28 AD8065/AD8066CFRFIPHOTOCSRSH= 1011ΩCDCMCMVBVO02916-E-058CF+CSRF 图58. 宽带光电二极管前置放大器 输入至输出耦合 为将输入与输出之间的容性耦合降至最低，输出和输入信号走线不应平行。 此时的频率响应显示大约2 dB的峰化和15%的过冲。将CFF加倍以及将带宽减半会使频率响应平坦化，瞬态过冲约为5%。 前置放大器的输出噪声与频率的关系如图59所示。 宽带光电二极管前置放大器 图58显示了一个电流电压转换器和一个光电二极管的电气模型，其基本传递函数为： f1=12πRF(CF+CS+CM+2CD)12πRFCFVOLTAGE NOISE (nV/Hz)f2=f3=其中，IPHOTO为光电二极管的输出电流，RF和CF的并联组合设置信号带宽。 此前置放大器所能实现的稳定带宽是以下参数的函数：RF、放大器的增益带宽积，以及放大器求和点的总电容，包括CS和放大器输入电容。RF与该总电容在放大器的环路传输中产生一个极点，它可能会导致峰化和电路不稳定。增加CF可以在环路传输中创建一个零点，它能补偿上述极点的影响并降低信号带宽。在45°相位裕量(f(45))下产生的信号带宽可以表示为： fCR(CS+CM+2CD+CF)/CFRF NOISEf2f1VEN (CF+CS+CM+ 2CD)/CFf302916-E-059VENNOISE DUE TO AMPLIFIERFREQUENCY (Hz)图59. 光电二极管电压噪声贡献 环路传输中的极点相当于放大器噪声增益中的零点，这会导致整个频率范围内的输入电压噪声被放大。CF引入的环其中，fCR为放大器的交越频率，RF为反馈电阻，而CS为放大器求和点的总电容(放大器+光电二极管+电路板寄生电容)。 产生f(45)的CF值可以表示为： 路传输零点可以限制放大效应。噪声增益带宽扩展至前置放大器信号带宽以外，最终通过放大器的环路增益降低而滚降。建议保持输入引脚阻抗相互匹配，以消除增加输出噪声的共模噪声峰化效应。 将输出电压噪声频谱密度的平方对频率积分，然后取平方根，可以获得前置放大器的总均方根输出噪声。表5列出了放大器、反馈电阻和源电阻的近似噪声计算公式，同时显示了一个示例前置放大器的噪声成分：RF = 50 kΩ、CS = 15 pF、CF = 2 pF(带宽约为1.6 MHz)。 Rev. J | Page 24 of 28 AD8065/AD8066表5. 光电二极管前置放大器的RMS噪声贡献 贡献因素 RF (×2) 放大器至f1放大器(f2– f1) 放大器至(之前f2) VCC表达式 RMS噪声(RF= 50 kΩ、CS= 15 pF、CF= 2 pF64.5 µV 2.4 µV 31 µV 260 µV 270 μV(总和) 4.7µF0.1µFRS1VN1/2AD80660.1µFVEE4.7µF2.2pFR2500ΩVCC4.7µFR1500ΩRF = 500Ω0.1µFAD80654.7µFVORGR3RF = 500ΩVCC500Ω0.1µFVEE0.1µF4.7µFR4500Ω1/2RS2VP2.2pFAD80664.7µFVEE02916-E-0600.1µF图60. 高速仪表放大器 高速JFET输入仪表放大器 图60显示了一个采用AD8065/AD8066构建的具有高输入阻抗的高速仪表放大器示例。其直流传递函数为： 对于G = +1，建议将两个前置放大器的反馈电阻设置为低值(例如，源阻抗为50 Ω时设置为50 Ω)。G = +1时带宽为50 MHz。对于较高增益，带宽由前置放大器设置，计算公式如下： 仪表放大器的共模抑制主要由电阻比的匹配度决定：R1:R2对R3:R4。可以通过下式估算： 前置放大器的求和点阻抗等于RF || 0.5(RG)。这就是用于匹配目的的值。 Rev. J | Page 25 of 28 AD8065/AD8066视频缓冲器 AD8065的输出电流能力和速度使其可用作视频缓冲器，如图61所示。 G = +2配置可以补偿因信号端接而引起的信号分压。对于最高7 MHz的信号，该缓冲器可以在从低幅度到最高2 V p-p范围内保持0.1 dB平坦度(见图7)。采用±5 V电源供电时，测得的差分增益和差分相位分别为0.02%和0.028°。 –VS249Ω+VI–+VS0.1µFAD80650.1µF4.7µF4.7µF75Ω75Ω+VO–2.2pF Rev. J | Page 26 of 28 499Ω499Ω图61. 视频缓冲器 160-E-61920 AD8065/AD8066外形尺寸 5.00(0.1968)4.80(0.1890)4.00(0.1574)3.80(0.1497)81546.20(0.2441)5.80(0.2284)1.270.50(0.0196)BSC(0.0500)1.75(0.0688)0.25(0.0099)45°0.25(0.0098)1.35(0.0532)8°0.10(0.0040)0°COPLANARITY0.51(0.0201)0.10SEATING0.31(0.0122)0.25(0.0098)1.27(0.0500)PLANE0.17(0.0067)0.40(0.0157)COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMS-012-AACONTROLLINGDIMENSIONSAREINMILLIMETERS;INCHDIMENSIONSA-(INPARENTHESES)AREROUNDED-OFFMILLIMETEREQUIVALENTSFOR704REFERENCEONLYANDARENOTAPPROPRIATEFORUSEINDESIGN.210图62. 8引脚标准小型封装[SOIC_N] 窄体(R-8)3.00图示尺寸单位：mm和(inch) 2.902.801.70543.001.602.801.502.601230.95 BSC1.90BSC1.301.150.901.45 MAX0.20 MAX0.95 MIN0.08 MIN0.15 MAX10°0.550.05 MIN0.50 MAXSEATINGPLANE5°0.450°BSC0.200.350.35 MINCOMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-AA图63. 5引脚小型晶体管封装[SOT-23](RJ-5)3.20图示尺寸单位：mm 3.002.803.20855.153.004.902.8014.654IDENTIFIERPIN10.65BSC0.9515°MAX0.851.10MAX0.750.150.050.406°0.230.80COPLANARITY0.250°0.090.550.400.10B-907COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMO-187-AA001图64. 8引脚超小型封装[MSOP] (RM-8)图示尺寸单位：Rev. J | Page 27 of 28 mm A-806121 AD8065/AD8066订购指南型号1, 2 AD8065AR AD8065AR-REEL AD8065AR-REEL7 AD8065ARZ AD8065ARZ-REEL AD8065ARZ-REEL7 AD8065ART-R2 AD8065ART-REEL AD8065ART-REEL7 AD8065ARTZ-R2 AD8065ARTZ-REEL AD8065ARTZ-REEL7 AD8065WARTZ-REEL7 AD8065ART-EBZ AD8065AR-EBZ AD8066AR AD8066AR-REEL7 AD8066ARZ AD8066ARZ-RL AD8066ARZ-R7 AD8066ARM AD8066ARM-REEL AD8066ARM-REEL7 AD8066ARMZ AD8066ARMZ-REEL7 AD8066AR-EBZ AD8066ARM-EBZ 1 2 温度范围 -40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+105℃ -40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃-40℃至+85℃ 封装描述 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 评估板(8引脚 SOIC_N)评估板(8引脚 SOIC_N)8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 SOIC_N 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 8引脚 MSOP 评估板(8引脚 SOIC_N)评估板(5引脚 SOT-23) 封装选项R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 RJ-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 RM-8 RM-8 RM-8 RM-8 RM-8 标识 HRA HRA HRA HRA # HRA # HRA # H2F# H1B H1B H1B H7C H7C Z = RoHS兼容器件，#表示RoHS兼容器件的产品可能在顶部或底部进行标识。 W = 通过汽车应用认证。汽车应用级产品 AD8065W生产工艺受到严格控制，以提供满足汽车应用的质量和可靠性要求。请注意，车用型号的技术规格可能不同于商用型号；因此，设计人员应仔细阅读本数据手册的技术规格部分。只有显示为汽车应用级的产品才能用于汽车应用。欲了解特定产品的订购信息并获得这些型号的汽车可靠性报告，请联系当地ADI客户代表。 ©2002–2010 Analog Devices, Inc. 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