专利名称：一种单温区晶体生长装置及单温区晶体生长方法专利类型：发明专利
发明人：唐明静,康彬,窦云巍,袁泽锐,张羽,方攀,陈莹,尹文龙申请号：CN201510903155.0申请日：20151208公开号：CN105369343A公开日：20160302
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长的单温区竖直梯度冷凝生长方法的生长装置及单温区晶体生长方法。本发明利用该晶体生长装置首先将晶体生长原料装入生长安瓿，然后测试未放入安瓿时的空炉温场分布，将测试得到的空炉温场分布曲线和晶体生长所需温场条件相结合来确定生长安瓿的放置区域，放入安瓿后，再根据实时的温场测试来调节温场至符合晶体的生长工艺要求后，保温一段时间使晶体充分熔融，并设置降温程序，开始晶体生长。本发明所述方法可大幅降低单晶生长设备的成本，简化单晶生长工艺，通过炉体结构的简单设计实现温场梯度的可控，可满足多种晶体的生长需求，并且通过实时的温度调节可减少安瓿放入后对温场的扰动。
申请人：中国工程物理研究院化工材料研究所,四川省新材料研究中心
地址：621000 四川省绵阳市绵山路64号
国籍：CN
代理机构：四川省成都市天策商标专利事务所
代理人：刘兴亮
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