专利名称：尺寸形貌可控的晶态硅纳米管的制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈本松,孟国文,许巧玲,朱晓光,孔明光,储昭琴申请号：CN200910251423.X申请日：20091217公开号：CN102101670A公开日：20110622
摘要：本发明公开了一种尺寸形貌可控的晶态硅纳米管的制备方法。它包括使用阳极氧化法获得孔形为直线或Y分支或三分支或两代Y分支形通孔的氧化铝模板，完成步骤为先将氧化铝模板置于氮气和氢气的载气气氛中升温至450～600℃，再将其置于450～600℃下的氮气、氢气和硅烷气体的反应气氛中反应1.5～2.5h，得到氧化铝模板的孔中附有硅纳米管的中间产物，接着，先在氮气和氢气的载气气氛中将中间产物自然降温至室温，再将中间产物置于75～95℃下的浓盐酸中浸泡至少5h后，对其进行清洗处理，得到非晶硅纳米管，随后将非晶硅纳米管置于650～850℃下的氩气和氢气的混合气氛中退火至少1h，制得管壁厚为5～20nm的尺寸形貌可控的晶态硅纳米管。它可广泛用于硅纳米管的制备。
申请人：中国科学院合肥物质科学研究院
地址：230031 安徽省合肥市1110信箱
国籍：CN
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