专利名称：用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及控
制系统
专利类型：发明专利发明人：张红勇
申请号：CN200810231901.6申请日：20081027公开号：CN101392405A公开日：20090325
摘要：本发明公开了一种用于锗单晶生长过程中的高精度温度控制方法及该方法采用的的温度控制系统，由温补信号模块给出一个温补信号发送到晶体生长控制器，由晶体生长控制器对该温补信号进行数字滤波；再由温补信号处理电路进行二次滤波以及隔离处理；再将该处理后的温补信号与红外测温传感器测量的加热炉内的实际温度值反向串联得到叠加信号，将该叠加信号作为实际温度反馈送给温度控制器；温度控制器将叠加信号与温度目标设定值进行比较，温度控制器再根据差值的大小进行PID计算，并根据PID计算结果调整加热器的加热功率，使加热炉内的温度达到要求。本发明的方法简单可靠，控制精度高，采用的装置简洁，故障率低。
申请人：西安理工晶体科技有限公司
地址：710077 陕西省西安市高新区锦业路69号B区
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：罗笛
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