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一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法及其产品[发明专利]

来源:伴沃教育
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法及其产品专利类型:发明专利发明人:林杰

申请号:CN201510640124.0申请日:20151008公开号:CN105239047A公开日:20160113

摘要:本发明公开了一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法,其采用摩尔比为1:(0~1):(0.5~2)的氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末为原料制得,制备过程包括生胚制成、通氧烧结以及真空热处理步骤;本发明在传统IGZO溅射靶材通氧烧结工艺后增加真空处理步骤,通过对靶材进行还原处理,增加它的组分缺陷,从而促进半导化,进而提高导电性能,同时保证成品密度符合要求,提升了IGZO溅射靶材的性能和产率。

申请人:福建省诺希科技园发展有限公司

地址:350301 福建省福州市福清市融侨经济开发区光电科技园(福建省诺希新材料科技有限公司研发中心大楼三层)

国籍:CN

代理机构:福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙)

代理人:程捷

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