专利名称：制作半导体X射线检测器的方法专利类型：发明专利发明人：曹培炎,刘雨润申请号：CN201580081257.7申请日：20150709公开号：CN107710021A公开日：20180216
摘要：本文公开制作适合于检测X射线的装置(100)的方法，该方法包括：使晶片(其包括X射线吸收层(110))附着到衬底(900)表面，其中该表面导电；使晶片变薄；在晶片中形成电触点(119A)；使电子层(120)接合到晶片使得晶片的电触点(119A)电连接到电子层(120)的电触点(125)。
申请人：深圳帧观德芯科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
国籍：CN
代理机构：深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人：罗水江
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