专利名称：制作半导体X射线检测器的方法专利类型：发明专利
发明人：曹培炎,宋崇申,刘雨润申请号：CN201780083679.7申请日：20170123公开号：CN110291423A公开日：20190927
摘要：一种图像传感器(9000)包括：半导体辐射检测器的一个或多个封装件；其中所述一个或多个封装件中的每个封装件包括所述半导体辐射检测器(100)，其中所述半导体辐射检测器(100)包括第一条带(908)的半导体晶片(906)上的辐射吸收层(110)和第二条带(903)的半导体晶片(902)上的电子层(120)，其中所述辐射吸收层(110)沿所述第一条带(908)的半导体晶片(906)是连续的，并且不具有覆盖间隙，其中所述第一条带(908)和所述第二条带(903)纵向地对齐并接合在一起。X射线图像质量有提高。
申请人：深圳帧观德芯科技有限公司
地址：518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
国籍：CN
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