SFH 320SFH 320 FANPN-Silizium-Fototransistor im
®
SMT TOPLED-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in
®
SMT TOPLED-Package
SFH 320SFH 320 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
qSpeziell geeignet für Anwendungen im
Features
qEspecially suitable for applications from
qqqq
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA)Hohe LinearitätP-LCC-2 GehäuseGruppiert lieferbar
für alle Lötverfahren geeignet
qqqq
380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of880 nm (SFH 320 FA)High linearity
P-LCC-2 packageAvailable in groups
Suitable for all soldering methods
Anwendungen
qMiniaturlichtschranken für Gleich- undWechsellichtbetriebqLochstreifenleserqIndustrieelektronik
q“Messen/Steuern/Regeln”Semiconductor Group
1
Applications
qMiniature photointerruptersq punched tape readersqIndustrial electronics
qFor control and drive circuits
01.97
fplf6724fpl06724元器件交易网www.cecb2b.com
SFH 320SFH 320 FA
TypTypeSFH 320SFH 320-3SFH 320-4BestellnummerOrdering CodeQ62702-P0961Q62702-P390Q62702-P1606Typ (*vorher)Type (*formerly)SFH 320 FA(*SFH 320 F)SFH 320 FA-3(*SFH 320 F-3)SFH 320 FA-4(*SFH 320 F-4)BestellnummerOrdering CodeQ62702-P0988Q62702-P393Q62702-P1607Grenzwerte
Maximum RatingsBezeichnungDescriptionBetriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature rangeKollektor-EmitterspannungCollector-emitter voltageKollektorstromCollector currentKollektorspitzenstrom,τ <10 µsCollector surge currentVerlustleistung,TA = 25°CTotal power dissipationWärmewiderstand für Montage auf PC-BoardThermal resistance for mounting on pcbSymbolSymbolWertValue– 55...+ 100351575165450EinheitUnit°CVmAmAmWK/WTop;TstgVCEICICSPtotRthJASemiconductor Group2
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SFH 320SFH 320 FA
Kennwerte(TA = 25°C,λ = 950 nm)CharacteristicsBezeichnungDescriptionWellenlänge der max. FotoempfindlichkeitWavelength of max. sensitivitySpektraler Bereich der FotoempfindlichkeitS = 10 % vonSmaxSpectral range of sensitivityS = 10 % ofSmaxSymbolSymbolSFH 320λS maxλ860WertValueSFH 320 FA900nmEinheitUnit380...1150730...1120nmBestrahlungsempfindliche Fläche (∅240 µm)ARadiant sensitive areaAbmessung der ChipflächeDimensions of chip areaAbstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-flächeDistance chip front to case surfaceHalbwinkelHalf angleKapazität,VCE = 0 V,f = 1 MHz,E= 0CapacitanceDunkelstromDark currentVCE = 25 V,E= 00.0450.45×0.450.5...0.70.0450.45×0.450.5...0.7mm2mm×mmmmL×BL×WHϕ±605.01 (≤200)±605.01 (≤200)Graddeg.pFnACCEICEOSemiconductor Group3
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SFH 320SFH 320 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischenZiffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguishedby arabian figures.BezeichnungDescriptionSymbolSymbolSFH320/FAFotostrom,λ =950 nmPhotocurrentEe = 0.1 mW/cm2,VCE = 5 VSFH 320:Ev = 1000 Ix, Normlicht/standardlight A,VCE = 5 VAnstiegszeit/AbfallzeitRise and fall timeIC = 1 mA,VCC = 5 V,RL = 1 kΩ-2WertValue-3-4EinheitUnitIPCEIPCEtr, tf≥ 1616...3242025...506507≥4010008µAµAµs76Kollektor-Emitter-VCEsatSättigungsspannungCollector-emitter saturation voltageIC =IPCEmin1)×0.3,Ee = 0.1 mW/cm21)1)
150150150150mVIPCEminist der minimale Fotostrom der jeweiligen GruppeIPCEminis the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristicsSrel=f (ϕ)Semiconductor Group4
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Relative spectral sensitivity, SFH 320Srel=f (λ)Total power dissipationPtot =f (TA)Dark current
ICEO =f (TA),VCE= 5 V, E = 0Semiconductor GroupRelative spectral sensitivity,SFH 320 FASrel=f (λ)Photocurrent
IPCE=f (VCE),Ee = ParameterCapacitance
CCE=f (VCE), f = 1 MHz,E = 05
SFH 320SFH 320 FA
Photocurrent
IPCE=f (Ee),VCE= 5 V
Dark current
ICEO =f (VCE),E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o =f (TA),VCE= 5 V
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