（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201810665083.4 （22）申请日 2018.06.26
（71）申请人 苏州汉骅半导体有限公司
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室
（10）申请公布号 CN108538723A
（43）申请公布日 2018.09.14
（72）发明人 倪贤锋;范谦;何伟 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法
（57）摘要
本申请提提供一种基于金刚石的氮面极性
氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上依次生长GaN层、介质层和金刚石层以形成晶体结构；倒置所述晶体结构并去除所述衬底；在所述GaN层上依次生长势垒层和沟道层。本申请所提供的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法，无需采用载体晶圆，不仅降低了制造工艺的难度，而且提高了器件的性能，有利于基于金刚石的氮面极性氮化镓器件的产业化。
法律状态
法律状态公告日
2018-09-14 2018-09-14 2018-10-16
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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权利要求说明书
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说明书
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