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基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑[实用新型专利]

来源：伴沃教育

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均

压拓扑

专利类型：实用新型专利发明人：赵成勇,刘航,许建中申请号：CN201620068878.3申请日：20160125公开号：CN206099810U公开日：20170412

摘要：本实用新型提供基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑。单箝位MMC自均压拓扑，由单箝位MMC模型和自均压辅助回路联合构建。单箝位MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式单箝位MMC自均压拓扑，IGBT模块闭锁，拓扑等效为单箝位MMC拓扑。该单箝位MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现单箝位MMC的基频调制。

申请人：华北电力大学

地址：102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号

国籍：CN

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