专利名称：接触孔的形成方法专利类型：发明专利发明人：刘继全
申请号：CN201510741788.6申请日：20151104公开号：CN106653680A公开日：20170510
摘要：一种接触孔的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；垂直于所述介质层表面向内部形成通孔,所述通孔侧壁形成有悬突结构突出所述侧壁；对通孔侧壁进行物理轰击；在轰击后的通孔内填充导电材料，形成接触孔。本发明实施例在刻蚀形成通孔之后，采用物理轰击的方法对通孔侧壁进行处理，以去除通孔侧壁可能形成的悬突，来保证后续阻挡层和种子层的连续生长、以及导电材料的均匀填充，从而有效地避免了接触孔内狭缝空洞的产生,保证了接触孔的连续性，提高了接触孔的电学性能和机械强度。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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