专利名称：制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射
的半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：伊瓦尔·通林,托马斯·施勒雷特申请号：CN201880023660.8申请日：20180321公开号：CN110494991A公开日：20191122
摘要：提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供辅助载体(1，1’)，‑将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到辅助载体(1，1’)上，‑施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及‑借助于锯割将半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离，其中辅助载体(1，1’)不分开，使得至少在半导体芯片(2)的侧面上分别产生第一灌封料(8)的层。此外，提出另一方法和一种发射辐射的半导体器件。
申请人：欧司朗光电半导体有限公司
地址：德国雷根斯堡
国籍：DE
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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