专利名称：多层纳米透明导电膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：蔡珣,刘煊杰,李景明,陈秋龙,王振国申请号：CN03116461.7申请日：20030417公开号：CN1442872A公开日：20030917
摘要：一种多层纳米透明导电膜及其制备方法属于纳米薄膜材料领域。本发明薄膜是电介质与金属层交替结构，两层电介质中间是金属层，其中电介质层是对称结构，或者非对称结构。本发明方法首先根据多层膜的特征矩阵计算公式、金属连续膜内的电子输运和等离子体共振理论，编制多层膜光电性能的计算机模拟程序，优化设计D/M/D多层膜结构，这包括材质、膜厚、折射率、电导率的选择和匹配等，预测若干种D/M/D多层膜结构；然后用真空蒸镀的方法制备D/M/D多层膜，同时在蒸镀时，用精确的膜厚监测系统来动态记录膜厚，随时取样测量并加以校正。本发明多层膜的光电性能较好，电气性能指标相对ITO/Ag/ITO有了很大的提高，同时，该膜系具有更好选择滤光性能和色彩平衡性。
申请人：上海交通大学
地址：200030 上海市华山路1954号
国籍：CN
代理机构：上海交达专利事务所
代理人：王锡麟
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