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空穴助剂Ti(IV)与电子助剂Ni(OH)协同修饰ZnInS光催化剂的方法[发明专利]

来源:伴沃教育
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:空穴助剂Ti(IV)与电子助剂Ni(OH)协同修饰ZnInS

光催化剂的方法

专利类型:发明专利发明人:陈峰,周伟军,余火根申请号:CN201910935101.0申请日:20190929公开号:CN110787812A公开日:20200214

摘要:本发明涉及空穴助剂Ti(IV)与电子助剂Ni(OH)协同修饰ZnInS光催化剂的制备方法,包括以下步骤:1)ZnInS光催化材料与去离子水混合,充分搅拌形成悬浮液;2)向悬浮液加入可溶于水的钛盐;3)将悬浮液边搅拌边水浴加热一定时间;4)将沉淀过滤洗涤干燥,即为光催化剂;5)将光催化剂与去离子水混合,通过搅拌形成均匀的悬浮液;6)向悬浮液加入可溶于水的镍盐与尿素溶液;7)把悬浮液边搅拌边水浴加热一定时间;8)将沉淀过滤洗涤干燥,即为空穴助剂Ti(IV)与电子助剂Ni(OH)协同修饰ZnInS光催化剂。本发明合成方法操作十分简单、绿色环保、节能、无需加入任何有机表面活性剂。

申请人:武汉理工大学

地址:430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

国籍:CN

代理机构:湖北武汉永嘉专利代理有限公司

代理人:崔友明

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