一种具有读写分离的双端口SRAM单元6T结构

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201110282766.X （22）申请日 2011.09.21

（71）申请人 清华大学深圳研究生院

地址 518055 广东省深圳市南山区深圳大学城清华校区

（10）申请公布号 CN102385916B

（43）申请公布日 2013.12.04

（72）发明人 曹华敏;刘鸣;陈虹;郑翔;王聪;王志华;高志强 （74）专利代理机构 西安智大知识产权代理事务所

代理人 贾玉健

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种具有读写分离的双端口SRAM单元6T结构

（57）摘要

一种具有读写分离的双端口SRAM单

元6T结构，其锁存电路由相互耦合的两个反相器形成，并连接在单元电压和单元地之间，第一反相器包括第一上拉晶体管、第一下拉晶体管，第二反相器包括第二上拉晶体管、第二下拉晶体管，两个上拉晶体管源极接单元电压，栅极接另一反相器输出，两个下拉晶体管源极接单元地，栅极接另一反相器输出，第一上拉晶体管漏极和第一下拉晶体管的漏极相连，形成第一存储节点，第二上拉晶体管漏极和第二下拉晶体管的漏极相

连，形成第二存储节点，传输晶体管分别连接第一存储节点、第一位线和第一字线，读出晶体管分别连接第二字线、第二位线和第一存储节点，本发明实现了提高SNM、减小漏电、增大读电流的目的。 法律状态

法律状态公告日

2012-03-21 2012-05-02 2013-06-05 2013-12-04

法律状态信息

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

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说明书

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