专利名称：晶片结构专利类型：发明专利发明人：杨玉琳
申请号：CN200610099117.5申请日：20060727公开号：CN101114627A公开日：20080130
摘要：本发明是有关于一种晶片结构，其包括一基材、至少一晶片焊垫、一保护层、至少一软性凸块与至少一重配置导电迹线。基材具有一主动面，晶片焊垫配置于主动面上。保护层配置于主动面上，且暴露出晶片焊垫。软性凸块具有一顶面与一侧面，其中至少部分软性凸块配置于保护层上。重配置导电迹线的一端与晶片焊垫电性连接，且重配置导电迹线的另一端覆盖于软性凸块的部分侧面与至少部分顶面。因此，晶片结构的晶片焊垫可借由软性凸块与重配置导电迹线而电性连接至相对应的承载器上的电性接点。
申请人：南茂科技股份有限公司,百慕达南茂科技股份有限公司
地址：台湾省新竹县新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
国籍：CN
代理机构：北京中原华和知识产权代理有限责任公司
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