低压降二极管及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910189075.1 （22）申请日 2019.03.13 （71）申请人 捷捷半导体有限公司

地址 226000 江苏省南通市苏通科技产业园井冈山路6号

（10）申请公布号 CN109801978A

（43）申请公布日 2019.05.24

（72）发明人 王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇

（74）专利代理机构 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 王占华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

低压降二极管及其制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种低压降二极管及其制备

方法，所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上

表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。

法律状态

法律状态公告日

2019-05-24 2019-05-24 2019-06-18

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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公开 公开

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说明书

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