（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110258718.7 （22）申请日 2011.09.02
（71）申请人 华灿光电股份有限公司
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
（10）申请公布号 CN102306691A
（43）申请公布日 2012.01.04
（72）发明人 韩杰;魏世祯
（74）专利代理机构 江西省专利事务所
代理人 胡里程
（51）Int.CI
H01L33/00;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种提高发光二极管发光效率的方法
（57）摘要
本发明公开了一种提高发光二极管发光效
率的方法，发光二极管外延片结构中发光层中垒层的生长方式采用了一种新颖的方法：通过生长不同厚度的垒层，提高电子空穴的复合效率从而提高发光效率。本发明方法的设计既保证了较高的复合效率又保持了较低的正向电压，通过加厚靠近N型层一侧的垒层厚度可以更好的限制电子的迁移运动，防止电子越过MQW区域在P型层与
空穴复合，而降低靠近P型层一侧的垒层厚度，使空穴更容易越过垒层与电子在量子阱中复合从而提升出光效率。
法律状态
法律状态公告日
2012-01-04 2012-02-22 2014-04-30
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
公开
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权利要求说明书
一种提高发光二极管发光效率的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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