专利名称：具有串联的双NMOS的集成电路及制备方法专利类型：发明专利发明人：王钊
申请号：CN201310521567.9申请日：20131029公开号：CN103545312A公开日：20140129
摘要：本发明涉及一种具有串联的双NMOS的集成电路，包括：至少一个第一NMOS，置于晶圆第一面，具有第一栅极和第一源极；至少一个第二NMOS，置于晶圆第二面，具有第二栅极和第二源极；所述至少一个第一NMOS和至少一个第二NMOS在与晶圆表面垂直的纵向上共用N-型半导体衬底的N-区域，所述至少一个第一NMOS的栅极和至少一个第二NMOS的源极的位置彼此对应，所述至少一个第一NMOS的源极和至少一个第二NMOS的栅极的位置彼此对应。本发明实现了导通电阻相等的情况下，晶片面积更小，易于采用更小的封装，使芯片面积更小。
申请人：无锡中星微电子有限公司
地址：214135 江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层
国籍：CN
代理机构：北京亿腾知识产权代理事务所
代理人：陈霁
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