专利名称：高纯度铜溅射靶材专利类型：发明专利
发明人：森晓,谷雨,佐藤雄次,菊池文武,荒井公申请号：CN201680048552.7申请日：20160803公开号：CN107923034A公开日：20180417
摘要：本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
申请人：三菱综合材料株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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