全控型器件GTO、GTR和电力MOSFET、IGBT各自的优缺点，应用场合及其所属类型。 器件 优点 GTO(门极可关断晶体管) 电压、电流容量很 大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 GTR(电力晶体管) 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 电力MOSFET(电力场效应晶体管) 开关速度快，开关损耗小，工作频率高，门极输入阻抗高，热稳定性好，需要的驱动功率小，驱动电路简单，没有二次击穿问题 电流容量小,耐压低,通态损耗较大,一般适用于高频小功率场合 IGBT(绝缘栅双极型晶体管) 开关速度高,开关损耗小,通态压降较低,电压、电流容量较高，门极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单 开关速度不及电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO 缺点 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂.开关频率低 主要用于中等容量的牵引驱动中 开关速度低,电流驱动型,需要驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题 在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛 是一种电流控制的双极双结电力电子器件 应用 场合 一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 所属 类型 是晶体管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，属于全控型器件 是一种电压控制型单极晶体管，是通过栅极电压来控制漏极电流的