（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410819897.0 （22）申请日 2014.12.24
（71）申请人 深圳市华星光电技术有限公司
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
（10）申请公布号 CN104576318A
（43）申请公布日 2015.04.29
（72）发明人 戴天明
（74）专利代理机构 广州三环专利代理有限公司
代理人 郝传鑫
（51）Int.CI
H01L21/02;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种非晶硅表面氧化层形成方法
（57）摘要
本发明提供一种非晶硅表面氧化层形成方
法，其包括以下步骤：使用氢氟酸清洗所述非晶硅的表面；使用水清洗经过氢氟酸清洗的所述非晶硅的表面；对水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；采用极紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化层；采用氧化性溶液清洗具有所述氧化层的非晶硅的表面二形成第二氧化层；对具有第二氧化层的所述非晶硅的表面进行
干燥。采用极紫外光刻方式在所述非晶硅的表面形成第一氧化层，进而使所述非晶硅表面亲水性强，水的分布均匀。
法律状态
法律状态公告日
2015-04-29 2015-04-29 2015-05-27 2015-05-27 2017-09-05
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种非晶硅表面氧化层形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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