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硅锭的铸造方法[发明专利]

来源:伴沃教育
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:硅锭的铸造方法专利类型:发明专利发明人:黄亚楠

申请号:CN201510830413.7申请日:20151125公开号:CN106757334A公开日:20170531

摘要:本发明公开了一种硅锭的铸造方法,包括步骤:在坩埚中进行装料,底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料;将坩埚置于铸锭炉中并抽真空,将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定;控制炉内的垂直温度梯度,使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化;控制炉内的垂直温度梯度,使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率,能降低生产成本。

申请人:青岛格润得新型材料有限公司

地址:266000 山东省青岛市城阳区正阳路159号贵爵广场1号楼506户

国籍:CN

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